碳化硅超级结技术相比现有碳化硅功率器件有什么突破？
该技术实现了1635V超高耐压，室温和高温下比导通电阻大幅降低，导通电阻零温漂，功率密度提升81%，综合性能逼近碳化硅材料物理极限。
最前线|全球首款碳化硅超级结功率器件产品在上海发布，突破海外主导现状
资讯摘要
9月7日，“破界·启新——碳化硅前沿技术分享暨碳化硅超级结MOSFET成果发布会”在上海举行。 本次发布的核心成果，源自瑶芯微（上海）电子科技股份有限公司（简称“瑶芯微电子”）与中国科学院院士、西安电子科技大学教授郝跃团队在碳化硅超级结技术上的深度产学研合作。
AI 摘要
9月7日，全球首款碳化硅超级结功率器件产品在上海发布。该成果由瑶芯微电子与郝跃院士团队产学研合作攻克，器件实现1635V超高耐压、低导通电阻等突破，性能接近碳化硅材料物理极限，可应用于新能源汽车、数据中心等领域，有助于打破海外企业对碳化硅功率器件的市场主导。
AI 问答
这款产品主要面向哪些应用场景？
可应用于新能源汽车主驱、车载电源、AI服务器电源、数据中心800V供电架构、光伏储能、特高压输电等领域。
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